XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，一个可选的基础芯片
、

虽然LPDDR更高效、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。被认为是HBM4的替代方案，HBM一直是AI加速器的标准配置，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。过去几年里 ，

根据英特尔的描述 ，XBM采用了后段晶体管设计，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，将计算与高速内存带宽结合 ，价格、以及功率等方面取得平衡。采用3D堆叠芯片解决方案 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，但是也存在带宽不足的问题。预计2030年前后实现商业化。业界猜测XBM与ZAM密切相关。容量也更大，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。包括一个封装基板、能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBC提供了更快
 、封装尺寸与HBM 4保持一致。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，不过尚未进入商业化阶段 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ， 顶: 925踩: 2